2022-05-01 09:35·远瞻智库
(报告出品方/分析师:民生证券 方竞 陈蓉芳) 1 长光华芯:十年磨一剑,国产激光芯片领军者1.1 国产激光“芯制造”,研发实力强劲 深耕高功率激光芯片十载,国产半导体激光行业领军者。 公司系半导体激光行业全球少数具备高功率激光芯片量产能力的企业之一,自2012年成立以来始终专注于半导体激光芯片的研发、设计及制造,在实现高功率激光芯片的国产替代道路上持续前进。 ![]()
公司2012年成立之初,便建成包括芯片设计、封装测试、光纤耦合等工艺产线;2018年成立 VCSEL 事业部与激光系统事业部,产线和事业部构建完善。2019年起陆续推出 15W、18W、25W单管芯片。目前商业化单管芯片输出功率达到 30W,巴条芯片连续输出功率达到 250W(CW),准连续输出 1000W(QCW),VCSEL 芯片的最高转换效率 60%以上,产品性能指标与国外先进水平同步,打破国外技术封锁和芯片禁运,逐步实现了半导体激光芯片的国产化及进口替代。 另外,在激光器件封装、光束整形、合束耦合、直接半导体激光系统等领域拥有丰富的产品研制与生产经验,成功开发了多款光纤耦合模块及直接半导体激光器等产品。 ![]()
产品多维度布局,实现国产“芯制造”。 公司主要产品包括高功率单管系列产品、高功率巴条系列产品、高效率 VCSEL 系列产品及光通信芯片系列产品等,已形成由半导体激光芯片、模块、器件及直接半导体激光器构成的四大类,形成激光半导体垂直产业链,下游应用场景甚广。 其最主要应用领域为工业加工,广泛应用于光纤激光器、固体激光器及超快激光器等光泵浦激光器泵浦源、国家战略高技术、3D 传感、激光雷达、激光智能制造装备、医学美容、人工智能、科学研究等领域。实现快速从 1 到 N 的产品矩阵扩展。 勇攀高峰,研发能力获得新突破。 短短几年时间,长光华芯便解决了外延生长技术、腔面钝化技术以及器件制作工艺水平等方面的多个技术难题,这也使长光华芯能够在最短的周期内成为全球少数几家、国内唯一研发并量产高功率半导体激光器芯片的公司,打破了核心半导体激光芯片长期被国外芯片制造商垄断的局面,加速国产替代化进程。 ![]()
管理层均为技术背景出身,多样化股东结构协同性高。 公司董事长闵大勇,激光行业管理经验丰富,主要负责公司研发成果的市场转化及激光应用工艺开发。 王俊先生作为常务副总经理,研发并掌握了外延、镀膜、封装、老化测试等核心技术,带领公司努力实现激光芯片国产替代,完成”芯制造“。其他股东还包括核心管理层、员工持股平台以及国有股东、专业投资机构。 多样化的股东结构使得公司治理能够更加协同,决策更加有力。此外值得注意的是,公司的四大核心技术人员技术背景深厚,拥有专业背景的他们为公司的产品研发和技术迭代做出了 突出贡献,是公司的技术创新的基石。 ![]()
重视技术性人才,员工持股团队稳定。 苏州英镭为发行人核心管理层的持股平台,苏州芯诚、苏州芯同系发行人员工持股平台,通过设立员工持股平台,一方面保持了核心员工的稳定性,另外也能对员工形成激励导向。 ![]()
市场前景广阔,公司业绩持续高增。 随着公司收入规模的快速增长,以及公司 18W 及以上单管芯片等高端产品放量带动盈利能力提升,公司在 2020 年迅速扭亏为盈,并于 2021 年达到 1.15 亿元净利润,同比增长 340.49%。后续伴随着医疗美容,新能源汽车等新型消费电子领域不断增长的需求,公司有望迎来营收新突破。 ![]()
高功率系列产品营收占比保持于 90%以上,单管系列贡献最高。 分产品来看,高功率单管系列和高功率巴条系列对整体收入贡献超过九成,两大支柱业务近几年营收也一直保持积极增长态势。 其中高功率单管系列 2021 年营收达到 3.61 亿 元,2018-2021 年 CAGR 达到 71.2%,同期高功率巴条系列 CAGR 为 42.4%。根据公司招股书,VCSEL 板块于 2020 和 2021H1 占公司总营收的比重分别为 1.38%和 0.99%。 公司持续研发 VCSEL 芯片,2020 年通过相关客户的工艺认证,同时相关客户于 4Q20 向公司采购 VCSEL 芯片设计及开发服务,做好量产准备,公司 2020 年 VCSEL 芯片实现 340.60 万元收入。2021H1 公司部分高功率 VCSEL 订单落地并量产交付,有望迎来营收新突破。 ![]()
1.2 规模优势凸显,毛利率持续上行 毛利率水平持续上行,高功率单管及巴条产品国产替代进展迅速。公司 2018-2021 年毛利率水平都在 30%以上,总体实现稳定上行。2021 公司综合毛利率为 52.8%,较 2020 年显著提升 21.4pct,主要原因在于高功率单管和巴条系列产品毛利率的显著提升。 ![]()
规模优势逐渐凸显,费用率边际下行。 随着公司产品体系不断拓展,营收保持高增长态势下,整体期间费用率(扣除股份支付影响)下行。公司于 2019 年实施股权激励,确认股份支付金额 1.3 亿元,2020 年和 2021 年 H1 又分别产生股份支付费用 436.20 万元、472.70 万元,扣除这一影响后,公司 2018 年2021H1 的期间费用率为 59.90%、52.80%、35.05%、30.22%,公司未来边际生产成本有望迎来进一步下探。 ![]()
1.3 IDM 全流程工艺平台,提升公司研发效率 IDM 全流程工艺平台,保持技术领先。公司采用 IDM 模式进行半导体激光芯片的研发、生产与销售,掌握半导体激光芯片核心制造工艺技术关键环节,已建成 3 吋及 6 吋半导体激光芯片量产线,构建了 GaAs(砷化镓)和 InP(磷化铟)两大材料体系,建立了边发射和面发射两大工艺技术和制造平台,具备各类以 GaAs(砷化镓)和 InP(磷化铟)为衬底的半导体激光芯片的制造能力。 ![]()
公司深耕自主研发领域,技术储备丰富,专利覆盖广。 借助 IDM 模式优势,公司一方面可以更好地理解客户需求,按需生产不同功能的激光芯片及其器件,从而使生产更具弹性,有效提升生产效率;另一方面在下游终端客户的引领下,IDM 模式有助于公司技术以及产品的快速迭代。 截至 2021 年 9 月,公司已拥有专利 61 项,其中发明专利 22 项,正在申请的专利共计 98 项。公司技术储备已覆盖从芯片-器件-模块的整条 IDM 产业链。 ![]()
研发效率提升,成本端下行趋势。 相较于重研发、轻资产的 Fabless 模式,公司基于自身对半导体激光芯片核心制造工艺技术关键环节的深刻把握,选择 IDM 模式进行半导体激光芯片及其器件、模块等产品的研发、生产与销售,这样的好处是一方面可以更好的理解客户需求,提高产品的生产弹性。另外还能更快的进行产品的迭代,更深度的进行新技术的应用。 作为兼具研发和制造于一身的 IDM 模式企业,公司在保持高研发支出的情况下,还保持资产负债率保持较低水平。 公司 2021 年的研发费用率为 20%,与 2018 年相比下降 20.2pct,而资产负债率与 18 年相比降低了 24.2pct。这是由于公司技术的持续突破,所带来的研发效率的提升,驱动研发费率有望保持下行趋势。 ![]()
1.4 募投项目分析:贯彻落实“一平台、一支点、横向扩展、纵向延伸” 公司获准以首次公开发行方式向社会公众发行人民币普通股 3,390.0000 万股,发行价格为 80.80 元/股,募集资金总额为人民币 273,912.00 万元,扣除各项发行费用(不含增值税)人民币 20,295.08 万元后,实际募集资金净额为人民币 253,616.92 万元。募投项目投产后,公司将扩大激光半导体生产规模,提高产能,丰富产品矩阵。 ![]()
丰富公司创新研发能力,创造竞争优势。 (1)高功率激光芯片、器件、模块产能扩充项目主要是为了扩大高功率半导体激光芯片系列产品的生产规模,这将有效地缓解公司目前的产能问题,提升公司影响力,实现公司战略中的“一支点”部分,巩固公司的现有的在高功率激光半导体的优势,成为公司的战略支柱及立足点。 (2)垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)及光通讯激光芯片产业化项目,这是通过对生产基地的建设及配套设备的购置,研发垂直腔面发射半导体激光芯片及光通信激光芯片系列产品,拓宽系列产品的产品横向宽度,实现公司战略中的“横向扩展”,帮助公司扩大在激光芯片领域的影响力,抢占市场。 (3)研发中心建设项目,其核心目的是打磨公司在激光半导体领域的研发能力,为开拓新 技术做铺垫,筑造技术壁垒,不断提高核心竞争力,贯彻可持续发展战略。(报告来源:远瞻智库)
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