第三代半导体SiC行业研究报告

强驴

第七章 市场空间

第三代半导体材料SiC的市场增长，将会受益于新能源汽车、新能源发电、5G通信等领域的庞大需求驱动。

根据Yole Développement的数据，2018年全球SiC器件市场规模为4.2亿美元，2019年规模增长至5.64亿美元。未来，随着下游应用需求的提升，特别是新能源汽车、充电桩、光伏等行业的需求驱动，SiC器件市场将进一步快速增长，预计2024年，全球SiC器件市场规模将增长至20亿美元，复合增长率接近30%。

在SiC功率器件的下游应用中，未来还会以新能源汽车占主导，新能源汽车用SiC功率器件的占比超过90%：

第八章 产业竞争格局

从SiC产业全球的整体格局看，呈现美国、欧洲、日本三足鼎立态势。其中美国全球独大，包括科锐（Cree）、Transphorm、二六（II-VI）、陶氏化学（Dow Corning）等，占有全球SiC衬底晶片产量的70%~80%，Cree一家市占率高达6成之多；欧洲拥有完整的芯片/器件以及应用产业链，包括英飞凌、意法半导体、Siltronic、IQE等；日本是衬底晶片、设备和模块开发方面的领先者，典型公司是罗姆半导体、三菱化工、松下、住友电气、瑞萨、富士电机等。

2018年美国占有全球SiC晶片产量的70%以上，仅CREE公司就占据一半以上市场份额，剩余份额大部分被日本和欧洲的其他SiC企业占据。其中，国内企业天科合达以1.7%的市场占有率排名全球第六、国内第一。

图：导电型SiC晶片厂商市场占有率，数据来源：Yole Development

目前，SiC器件市场还是以国外的传统功率龙头公司为主，2017年全球市场份额占比前三的是科锐，罗姆和意法半导体。

强驴

第九章 硬科技复兴者联盟之第三代半导体SiC

强驴

第十章 投资策略&投资机会

• SiC产业处于早期，爆发的前夜
  

全球来看，由于SiC与GaN产业链仍处于起步阶段，国内企业更是大部分处于早期研发阶段，虽然国外龙头企业依旧占据主导地位，但从技术成熟度和产业发展进程角度，国内企业的落后态势远没有第一代、第二代半导体产业严重。

SiC产业大发展将直接和新能源汽车、光伏、风电、5G等领域紧密关联，而这些领域正处于产业高速增长的初级阶段，同时也是国内的优势产业，所以即便目前来看SiC产业还处于早期，但已经是产业爆发的前夜。

点评：第三代半导体以其独特的性能优势，是未来功率器件和高频毫米波射频器件领域绕不开的趋势，特别是随着新能源汽车的普及，5G和卫星通信的落地，SiC的产业趋势是明确的。在第三代半导体领域，我们即便不能实现弯道超车，但就目前产业发展态势来看，实现追赶是可能的。可以重点关注经过长期的技术积累，并实现技术突破的国内头部企业，比如华为哈勃战略布局的天科合达、山东天岳、瀚天天成，以及经过十几年技术积累完成全产业链布局的世纪金光等。

• 进军SiC路径不同，投资价值不同
  

目前国内企业参与到SiC产业链中，出发点各不相同，有一直深耕SiC技术的企业，比如天科合达、世纪金光、山东天岳等，有着长期的技术积累；也有从蓝宝石、光电等领域切入SiC衬底晶片生产，如露笑科技、三安光电；也有从传统Si基功率器件领域升级切入到SiC器件，如华润微、捷捷微电、扬杰科技、比亚迪、美林电子等……

点评：总的来说，企业核心要区分在上游的SiC衬底晶片、外延片，还是下游的芯片、器件、模块，上游技术含量更高，需要长期的经验积累；下游更贴近市场，有传统功率器件的客户资源最佳。

• 上游衬底是关注重点
  

由于产业初期、技术含量高等原因，且下游需求不断增加，目前SiC衬底材料处于供不应求的状态，下游的芯片、器件领域的国际大厂纷纷加强与上下游产业链的联合，通过合同、联盟或其他方式提前锁定订单，英飞凌、安森美、意法半导体都与Cree公司签署了长期供应协议，以确保上游的SiC衬底的供应。

SiC器件从成本来看，主要费用在SiC衬底和外延层制造，合计占比高达75%，而对比Si及芯片制造，Si基材占所有材料成本只有30%（不考虑设计、封测成本）。SiC衬底和外延成本过高，是制约SiC产业发展的核心要素。

点评：受限于技术提升难度和产能扩张的周期，上游的SiC衬底晶片将会长期处于供不应求状态。国内众多企业也都纷纷宣布建设SiC衬底晶片的产线，只有上游衬底晶片实现产能扩张、技术性能提升，才能够推动SiC产业加速到达产业爆发的临界点。做上游衬底晶片项目投资时，需要对技术储备和产品良率做深度分析。