中芯国际14nm关键参数仍落后英特尔

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阿尔法经济研究

2021-07-18 21:40·信息咨询企业数据分析师 优质财经领域创作者

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中芯国际14nm关键参数仍落后英特尔！英特尔挤牙膏的秘密之一：晶体管密度的优势

台积电5nm已经量产多时了，三星的5nm虽然翻车了，但好歹也是第二家可以量产5nm的代工厂。台积电原计划到2022年底量产3nm，但今年6月份三星3nm完成流片，起了个大早。不过最近看到消息，说是三星3nm要到2023年才能量产，这样看来还是要晚台积电一年，真是起了个大早赶了个晚集。在先进节点的追逐赛中曾经的代工一哥英特尔略显佛系，14nm的牙膏快挤爆了，7nm的量产要等到2022年。

笑归笑，但英特尔有一优势还是让竞争对手望尘莫及的，那就是晶体管密度。英特尔没有台积电那样的16/12nm节点，14nm++后步入了10nm。从晶体管密度上来看，英特尔14nm节点的晶体管密度达到每平方毫米4467万个，远大于台积电16nm每平方毫米2888万个的晶体管密度。

最近Digitimes一份研报对三星、台积电、英特尔和IBM四家公司工艺密度进行了对比，很明显的是英特尔在晶体管密度上要大幅领先同行。比如英特尔10nm节点的晶体管密度每平方毫米达到1.06亿个（原有资料显示为1.08亿，Digitimes数据为1.06亿个），要高于台积电的0.53亿个和三星的0.52亿个。在英特尔努力突破的7nm节点，Digitimes估计英特尔的晶体管密度达到每平方毫米1.8亿个，接近英特尔和三星的两倍。虽然英特尔5nm和3nm还遥遥无期，但Digitimes估计英特尔5nm和3nm的晶体管密度将达到每平方毫米3亿个和5.2亿个，妥妥领先台积电和三星。

不过晶体管密度仅是评价工艺性能的一个指标，具体要评价哪家公司技术更先进，还要结合Fin Pitch、Gate Pitch、Interconnect Pitch和Transistor Fin Height等参数进行分析。有人就做过英特尔14nm+++与台积电7nm的对比，发现英特尔晶体管栅格宽度为24nm，台积电7nm栅格宽度为22nm，两者相差2nm。还有英特尔的14nm相比同行的20/16/14nm，在Gate Pitch、Logic cell height、Fin Pitch和Min Metal Pitch方面都好于同行相近工艺的参数。14nm不弱嘛！

现有资料来看，中芯国际14nm的晶体管密度超过3*10^9/平方厘米，换算过来就是每平方毫米3000万个，而英特尔14nm晶体管密度为每平方毫米4467万个，中芯国际还是弱于英特尔。中芯国际N+1的就不清楚了。