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中芯国际14nm关键参数仍落后英特尔

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发表于 2021-7-19 08:25:57 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
阿尔法经济研究

2021-07-18 21:40·信息咨询企业数据分析师 优质财经领域创作者



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中芯国际14nm关键参数仍落后英特尔!英特尔挤牙膏的秘密之一:晶体管密度的优势

台积电5nm已经量产多时了,三星的5nm虽然翻车了,但好歹也是第二家可以量产5nm的代工厂。台积电原计划到2022年底量产3nm,但今年6月份三星3nm完成流片,起了个大早。不过最近看到消息,说是三星3nm要到2023年才能量产,这样看来还是要晚台积电一年,真是起了个大早赶了个晚集。在先进节点的追逐赛中曾经的代工一哥英特尔略显佛系,14nm的牙膏快挤爆了,7nm的量产要等到2022年。

笑归笑,但英特尔有一优势还是让竞争对手望尘莫及的,那就是晶体管密度。英特尔没有台积电那样的16/12nm节点,14nm++后步入了10nm。从晶体管密度上来看,英特尔14nm节点的晶体管密度达到每平方毫米4467万个,远大于台积电16nm每平方毫米2888万个的晶体管密度。

最近Digitimes一份研报对三星、台积电、英特尔和IBM四家公司工艺密度进行了对比,很明显的是英特尔在晶体管密度上要大幅领先同行。比如英特尔10nm节点的晶体管密度每平方毫米达到1.06亿个(原有资料显示为1.08亿,Digitimes数据为1.06亿个),要高于台积电的0.53亿个和三星的0.52亿个。在英特尔努力突破的7nm节点,Digitimes估计英特尔的晶体管密度达到每平方毫米1.8亿个,接近英特尔和三星的两倍。虽然英特尔5nm和3nm还遥遥无期,但Digitimes估计英特尔5nm和3nm的晶体管密度将达到每平方毫米3亿个和5.2亿个,妥妥领先台积电和三星。

不过晶体管密度仅是评价工艺性能的一个指标,具体要评价哪家公司技术更先进,还要结合Fin Pitch、Gate Pitch、Interconnect Pitch和Transistor Fin Height等参数进行分析。有人就做过英特尔14nm+++与台积电7nm的对比,发现英特尔晶体管栅格宽度为24nm,台积电7nm栅格宽度为22nm,两者相差2nm。还有英特尔的14nm相比同行的20/16/14nm,在Gate Pitch、Logic cell height、Fin Pitch和Min Metal Pitch方面都好于同行相近工艺的参数。14nm不弱嘛!

现有资料来看,中芯国际14nm的晶体管密度超过3*10^9/平方厘米,换算过来就是每平方毫米3000万个,而英特尔14nm晶体管密度为每平方毫米4467万个,中芯国际还是弱于英特尔。中芯国际N+1的就不清楚了。




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