长江存储突破128层后，闪存巨头急了，纷纷加快产品升级

强驴

生活与逻辑分享2020-12-11 17:13:30

11月初，美光科技宣布已批量出货全球首款 176 层 3D NAND 闪存。这款 176 层 NAND 产品采用美光第五代 3D NAND 技术和第二代替换栅极架构。SK 海力士公司发布了 176 层 512 Gb 三层 TLC 4D NAND 闪存。

今年，长江存储正式推出128层堆栈的3D NAND闪存，成功打入了华为Mate40供应链，这是我国闪存芯片比较大的进步。国产闪存的快速崛起，长江存储也成功跃居闪存市场第七，最重要的是仅仅用了3年时间走完了国际存储大厂6年走过的路。这让全球闪存巨头们都感受到压力，也加快了闪存技术的发展。

面对闪存巨头们都在加快了闪存堆叠技术的开发，要想要未来闪存市场占据优势，就必须在最新技术上走在别人的前面，这也是闪存巨头们掀起的技术大战的根本原因。未来，巨头们之间的存储之战，也会越来越激烈。

为何闪存NAND技术向三维、四维堆叠发展

自从三星推出首款垂直3D NAND闪存，为行业后期的发展奠定了方向，因为该技术堆叠的层数与NAND闪存容量成正比。同时，闪存芯片采用垂直堆叠及时也有很多优势，可以最大程度的减少层与层彼此之间的干扰，市场对NAND闪存容量的追求也使得市场需求越来越大。因此，层数的增加及容量成为技术发展的重要指标，垂直堆叠技术迅速成为半导体行业的标准。

SK海力士 VS 美光，将在2021年展开176层NAND竞争

在11月初，美光发布176层第五代 3D NAND 技术，芯片性能也将大幅度提高，在数据存储和写入延迟缩短了35%以上，面积缩小将近30%；随后在12月初，SK海力士随后发布了 176 层 512 Gb 三层 TLC 4D NAND 闪存，在性能上数据读取速度提高了33%，预计明年将进一步推行更高技术闪存产品。可以说，巨头们在NAND Flash市场已进入白热化阶段。

闪存巨头各显所长，各自亮出自己的优势

据CFM（中国闪存市场）数据显示，2020年第三季度NAND Flash营收排名，三星市场份额33.3%，依然排名第一；铠侠市场份额21.4%，排名第二，西部数据排第三；SK海力士排名第四；美光位列第五；英特尔排名第六位，长江存储市占份额已经超过1%排名第七。

1.美光176层闪存优势

尽管美光在闪存市场份额排名相对较后，但在NAND闪存技术方面，却表现很出色，美光在今年11月份就推出176层3D NAND闪存，是全球第一家发布176层3D NAND闪存。根据官网介绍，美光采用创新的技术，采用替换门架构将电荷陷阱与CMOS阵列下（CuA）设计相结合，在同类产品中，尺寸减少了30%。在性能上相比96层和128层闪存产品，读写时间分别缩短35%和25%，在行业内也是领先的，在系统启动速度和应用创新启动速度将更快、

2、SK海力士176层技术优势

海力士最近也发布了176层新一代3D NAND，也是采用创新设计，通过在存储器单元阵列下放置外围逻辑来减小芯片尺寸，类似于英特尔和美光的CMOS下阵列设计，SK海力士命名为“ 4D NAND Flash”。在性能上也较大提升，读取速度提高70％，写入速度提高35％，单元读取速度提高20％。随着竞争越来越激烈，SK海力士今年将收购英特尔的NAND存储器和存储业务。完成收购后，SK海力士将超越日本Kioxia，成为NAND内存市场的全球第二大厂商。

3、三星电子

作为闪存市场的老大，也看到了其他厂商的动作，自然也不甘落后，计划在2021年上半年大规模生产具有170层或更多层的第七代V-NAND闪存，结合两个88层模具，采用“双栈”技术。

4.铠侠

铠侠的前身就是东芝存储器，尽管没有提出推出176层闪存的计划，但铠侠也有比较大的动作。今年铠侠建立了新的工厂，以提高其尖端NAND闪存的产量

5.西部数据

西部数据今年初已推出第五代3D NAND技术BiCS5，采用112层堆叠闪存技术，因广泛的新技术和制造创新技术，是西部数据迄今为止最高密度和最先进的3D NAND技术。采用了第二代多层存储孔技术，显著提高了整个晶片上水平的单元阵列密度。和其96层产品相比，容量提高了40%，性能提高50%。

6、英特尔

英特尔跳过128层NAND闪存节点，直接开发144层3D NAND，这或者看到了我国长江存储跳过96层，直接推出128层闪存得到了启示。虽然还未量产，但也是加快进度，缩小和巨头们之间的差距。计划于2020年底上市，在性能方面比之前的96层QLC NAND闪存提高50%。

我国的长江存储面对强大的对手该如何应付

在过去三年，长江存储取得了巨大的进步，大胆创新，面对激烈已成熟的闪存市场，必须不能走别人走过的路，必须探索适合自己的发展路线，才能立足市场，找到生存空间。其实，路线发展问题长江存储早就一直在摸索，在2018年就推出Xtacking®架构，相对传统架构，3D NAND闪存芯片在面积缩小20-30%，长江存储就采用该架构，比其他厂商实现更高的存储密度，在成本上也降低了。正因为长江存储的创新，迅速在市场上赢得了一定的位置，在技术水平上和闪存巨头也没什么差距，唯一的就需要解决产能问题。

总结：

未来，3D NAND 技术随着发展，只会不断提高层数和芯片容量直到临界点为止。同时，因为3D NAND 可以在比特密度和成本占据优势，在没有出现新的闪存技术之前，依然会继续发展下去。未来，但是，闪存技术的发展犹如摩尔定律一样，随着平台或堆栈数量的叠加，技术难度和成本也会越来越苛刻，未来谁能掌握最先进的技术，谁就能掌握市场的话语权。而这一致胜法宝表示不断创新，走出一条属于自己的特色之路。未来，NAND闪存巨头也将掀起一场科技创新大战，未来的竞争也会越来越激烈！长江存储要想突围，必须坚持自己的创新之路！