2021-06-09 21:02·Jim博士
很多朋友非常关心一个问题:我们的国产高端光刻机到底什么时间会出来? 众所周知的一个事实是:荷兰ASML的极紫外EUV光源是高端光刻机最大的瓶颈之一,我们就先聊聊EUV光源的事情。看过我前面一条微头条的朋友大概了解,EUV光源的功率是高端光刻机的一个门槛,达到250W以上才能实现高的光刻精度。 由于国产EUV光源的报道一直扑朔迷离,我们就先看看我们的邻国日本的EUV技术现状,从技术演化的角度先窥探一二: 日本的Gigaphoton是全球主要的光刻机光源供应商,市场占有率一度高达51%(图1)。该公司2000年才成立,自2002年起便开始研究EUV技术(图2)。我们来看一下日本Gigaphoton公司的EUV开发里程碑式的时间节点: ![]() 图1:日本Gigaphoton公司 2018年度光刻机光源的市场份额达到51%(参考1)
![]() 图2:日本Gigaphoton公司的EUV开发历史:2002-2019年(参考2)
2004年 首次实现YGA激光激发液态Xe的LPP-EUV系统; 2006年 实现二氧化碳激光器激发液态锡粒的LPP-EUV系统; 2011年2月 实现收集效率达3.3%的EUV光源(5%是最低要求); 2012年7月 实现收集效率达5.2%的EUV光源(5%是最低要求); 2013年7月 首次实现可以稳定2小时的功率5W的EUV光源; 2013年9月 将EUV功率提升到20W(他们认为这是一次决定性的进展); 2014年2月 将EUV功率提升到43W; 2014年6月 将EUV功率提升到92W; 2015年2月 将EUV功率提升到108W; 2016年7月 将EUV功率提升到250W;(参考2) 从这个时间节点来看,我们可以以2013年作为一个分水岭: 前10年主要解决的是基本原理、基本工艺、基础制造的部分,所以进展极其缓慢;后6年主要是优化系统性能,逐渐达到商用指标。那么2013年到底发生了什么爆发性的技术改进呢? 我们在Gigaphoton公开资料里看到,其中重点分析了EUV光源的四大攻关难点(图3): 1,磁控去污染技术(约2010年获得稳定解决方案) 2,锡液体发生技术(约2006年获得初步解决方案) 3,激光预脉冲技术(约2012年获得初步解决方案) 4,高功率二氧化碳激光器系统(约2013年获得初步解决方案) ![]() 图3:日本Gigaphoton公司指出的EUV光源四大攻关难点(参考3)
![]() 图4:日本Gigaphoton公司指出的EUV光源2013年二氧化碳激光器系统成功实现20kW峰值功率(参考3)
我们可以发现,这些结果几乎与ASML(将在另一篇文章中详述)的研究完全一致。而2013年的这个核心进展就是:二氧化碳激光器系统成功突破20kW峰值功率(我们可以看到该工作是与日本另一家工业巨头三菱电机Mitsubishi Electroic Co.合作完成)。而我们从Gigaphoton公司的资料中可以明确地看到:二氧化碳激光器功率突破20kW是实现EUV关键技术的重要节点之一。 ![]() 图5:日本Gigaphoton公司的EUV光源开发计划表(参考3)
让我们回到之前我们提到的国内进展,2020年11月26日公开的上海光学精密机械研究所关于LPP-EUV光刻光源关键技术研究项目的泵源及驱动系统采购的公示。其中明确提到采购目的是: 主要用于光纤材料、高功率元器件的考核筛选及方案验证。 ![]() 图6:中科院上海光学精密机械研究所EUV光源研究项目采购公示(参考4)
我们很难从这句话里理解其开发进度。不过其中明确提到了采购项目:“2套6kW泵源及其驱动控制机柜”。 细心的网友可以从上海光机所的采购公示中看到:泵浦模块采用3+1泵浦合束方案。该方案正和Gigaphoton的激光器方案思路吻合(图7)。并且公示书特别指出:由于项目研制进度迫切,需要在1个月内完成采购产品的交付。也就是说,如果 一切采购程序正常,这些设备应该早已经到位了。 ![]() 图7:日本Gigaphoton公司CO2激光器3+1泵浦结构图(参考3)
讲到这里,我想大家结合我前一篇微头条整理的相关资讯,对我们国家的EUV开发进度都会有自己的理解。期待能看到我们国家科技进步的更多好消息!
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