据CFM（中国闪存市场）数据显示，2020年第三季度NAND Flash营收排名，三星市场份额33.3%，依然排名第一；铠侠市场份额21.4%，排名第二，西部数据排第三；SK海力士排名第四；美光位列第五；英特尔排名第六位，长江存储市占份额已经超过1%排名第七。
1.美光176层闪存优势
尽管美光在闪存市场份额排名相对较后，但在NAND闪存技术方面，却表现很出色，美光在今年11月份就推出176层3D NAND闪存，是全球第一家发布176层3D NAND闪存。根据官网介绍，美光采用创新的技术，采用替换门架构将电荷陷阱与CMOS阵列下（CuA）设计相结合，在同类产品中，尺寸减少了30%。在性能上相比96层和128层闪存产品，读写时间分别缩短35%和25%，在行业内也是领先的，在系统启动速度和应用创新启动速度将更快、
2、SK海力士176层技术优势
海力士最近也发布了176层新一代3D NAND，也是采用创新设计，通过在存储器单元阵列下放置外围逻辑来减小芯片尺寸，类似于英特尔和美光的CMOS下阵列设计，SK海力士命名为“ 4D NAND Flash”。在性能上也较大提升，读取速度提高70％，写入速度提高35％，单元读取速度提高20％。随着竞争越来越激烈，SK海力士今年将收购英特尔的NAND存储器和存储业务。完成收购后，SK海力士将超越日本Kioxia，成为NAND内存市场的全球第二大厂商。
3、三星电子
作为闪存市场的老大，也看到了其他厂商的动作，自然也不甘落后，计划在2021年上半年大规模生产具有170层或更多层的第七代V-NAND闪存，结合两个88层模具，采用“双栈”技术。
4.铠侠
铠侠的前身就是东芝存储器，尽管没有提出推出176层闪存的计划，但铠侠也有比较大的动作。今年铠侠建立了新的工厂，以提高其尖端NAND闪存的产量
5.西部数据
西部数据今年初已推出第五代3D NAND技术BiCS5，采用112层堆叠闪存技术，因广泛的新技术和制造创新技术，是西部数据迄今为止最高密度和最先进的3D NAND技术。采用了第二代多层存储孔技术，显著提高了整个晶片上水平的单元阵列密度。和其96层产品相比，容量提高了40%，性能提高50%。
6、英特尔
英特尔跳过128层NAND闪存节点，直接开发144层3D NAND，这或者看到了我国长江存储跳过96层，直接推出128层闪存得到了启示。虽然还未量产，但也是加快进度，缩小和巨头们之间的差距。计划于2020年底上市，在性能方面比之前的96层QLC NAND闪存提高50%。
